技術(shù)文章
Technical articles
更新時間：2025-08-20
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Anric Technologies成立于2014年，由哈佛大學ALD工藝著名專家Roy Gordon教授組的研究人員創(chuàng)立，旨在填補市場小型臺式原子層沉積(ALD設(shè)備)的空白，是為大學、初創(chuàng)企業(yè)、探索原子層沉積(ALD)技術(shù)的公司、啟動試點生產(chǎn)線以及專業(yè)制造商提供設(shè)計和優(yōu)化的工具。
公司專注于ALD工藝和設(shè)備的研究，其核心技術(shù)成員都來自哈佛大學，他們在ALD工藝上積累了豐富的經(jīng)驗，可以為客戶提供復雜的工藝定制化解決方案，是小樣品和低預算用戶的選項。
原子層沉積（ALD）簡介
原子層沉積是一種特殊的化學氣相沉積技術(shù)，是通過將氣相前驅(qū)體交替地通入反應(yīng)室并在沉積基體表面發(fā)生氣 -固化學反應(yīng)形成薄膜的一種方法。ALD 通常是A、B 的半反應(yīng)序列組成，具有表面自限性的特點，有著優(yōu)異的三維共形性、大面積的均勻性、亞單層的膜厚控制和低的生長溫度等。
原子層沉積原理
ALD 生長原理是通過反應(yīng)前驅(qū)體交替沉積，在基材表面逐層沉積薄膜。
一個原子層沉積周期可分為四個步驟:
1.通入第一種前驅(qū)體:將第一種前驅(qū)體脈沖進入反應(yīng)室，使其與基體表面發(fā)生化學吸附反應(yīng);
2.惰性氣體清洗:使用惰性氣體(如氮氣或氣)對反應(yīng)室進行清洗，去除未反應(yīng)的第一種前驅(qū)體和反應(yīng)產(chǎn)生的副產(chǎn)物;
3.通入第二種前驅(qū)體:將第二種前驅(qū)體脈沖進入反應(yīng)室，使其與吸附在基體表面的第一種前驅(qū)體發(fā)生化學反應(yīng)生成薄膜;
4.再次惰性氣體清洗:再次用惰性氣體清除未反應(yīng)的第二種前驅(qū)體及副產(chǎn)物。
ALD與其他薄膜沉積工藝對比
ALD的應(yīng)用
產(chǎn)品核心優(yōu)勢
√ 可提供該領(lǐng)域?qū)＜业墓に囍С?/span>
√ 體積小且緊湊(占用空間少)
√ 低容量腔室意味著快速沉積和減少前驅(qū)體廢物以及深入滲透到三維結(jié)構(gòu)中
√ 快速預熱(和冷卻)
√ 前驅(qū)體與腔室之間的距離短(減少管道堵塞的可能性)
AT 200M熱原子層沉積
市面上體積最小的ALD
小到可以放到手套箱的ALD
可做粉末的ALD
AT 200M Plus等離子體增強+熱原子層沉積
AT410/610/810熱型
AT650P/850P（等離子體增強） AT650T/850T（熱型）
AT-LT熱原子層沉積系統(tǒng)
全球100多家客戶重復購買 | ||
序號 | 客戶 | 應(yīng)用領(lǐng)域 |
1 | Lam Research(6臺) | |
2 | 哈佛大學 | |
3 | 赫爾辛基大學 | 客戶 Mikko Ritala and Matti Putkonen |
4 | 早稻田大學(多臺) | 傳感器、表面改性、納米壓印光刻、先進通孔制造(AlST) |
5 | 國立材料科學研究所(NIMS)#1 | 表面和薄膜中的聲子、原子尺度低維等離激元學、納米材料中的自旋軌道分裂 |
6 | 國立材料科學研究所(NIMS)#2 | 碳納米管中的自旋相關(guān)輸運、納米間隙制造和分子輸運、石墨烯中的帶隙工程、有機晶體管 |
7 | 東京大學 | ALD工藝 |
8 | 東京大學 | Dr Onaya |
9 | 牛津大學(2臺以上) | 客戶 Sebastian Bonilla |
10 | Precision TEM Santa Clara, CA | 樣品制備：HfO?,AlO? |
11 | 西北大學(美國) | |
12 | 劍橋大學(英國) | |
13 | 北京量子信息科學研究院 | |
14 | ENS-Paris(法國、高等師范學院) | |
15 | 萊斯大學 | |
16 | 英屬哥倫比亞大學(加拿大) | |
17 | 應(yīng)用材料公司(AMAT-Applied Materials) | |
18 | 私人公司(Pivate Company) (美國俄勒岡州波特蘭)2臺 | TEM樣品制備：HfO?，AI?O?，Ta?O |
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