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粉末原子層沉積系統(tǒng)ALD

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粉末原子層沉積系統(tǒng)ALD

產(chǎn)品型號(hào):
更新時(shí)間:2025-08-14
廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
訪問(wèn)量:329

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應(yīng)用領(lǐng)域醫(yī)療衛(wèi)生,化工,生物產(chǎn)業(yè),電子/電池,制藥/生物制藥

型號(hào):AT-200MPlus等離子體增強(qiáng)+熱原子層沉積

技術(shù)參數(shù):

· 尺寸 (L*W*H): 35.5*38.1*56.8cm

· 粉末涂層可選 (容量可達(dá)~ 10cm^3)

· 可放置2英寸×2英寸×3英寸或兩個(gè)2英寸圓片(可定制的卡盤和我們的粉末涂層選項(xiàng))的樣品

· 3個(gè)前驅(qū)體端口 (1 個(gè) MFC,2 個(gè)罐 ), 6個(gè)可選端口 (最多2個(gè)MFC, 4個(gè)罐),帶高達(dá) 150℃的伴熱管路 (HT套件至180℃)

· 帶空心陰極等離子體 (13.56RF, 80W)

· 通風(fēng)前驅(qū)體外殼

· 耐高溫的快速脈沖ALD閥門,配備超快MFC進(jìn)行集成惰性氣體吹掃-標(biāo)配

· 全不銹鋼腔室,溫度范圍可達(dá)300℃

· 靜態(tài)反應(yīng)模式下可實(shí)現(xiàn)高覆蓋

· 帶集成PLC控制的5英寸顯示屏

· 包括終身軟件升級(jí)

· 1 年保

     選項(xiàng) :真空泵,4個(gè)端 口,臭氧發(fā)生器 (AT-03), 瓶加熱器,QCM, 遠(yuǎn)程 PC控制,ALD前驅(qū)體, 手套箱, HT套件 (前驅(qū)體至180°C), 起泡器, 粉末噴涂機(jī),加熱卡盤 (至 450℃)


設(shè)備特點(diǎn):

1. 臺(tái)式ALD原子層沉積,占地面積小;

2. 熱型并且可升級(jí)等離子體加強(qiáng)功能

3. 可以選配粉末包裹功能,特別適合電池研究領(lǐng)域的客戶;

4. 體積到可以直接放到手套箱里面操作,特別適合電池研究領(lǐng)域的客戶;

5. 操作安裝極其簡(jiǎn)單,便于實(shí)驗(yàn)室不同人員操作實(shí)驗(yàn)。


應(yīng)用領(lǐng)域:

特別推薦在能源領(lǐng)域的應(yīng)用

1. 鋰離子電池領(lǐng)域的應(yīng)用

原子層沉積(ALD)由于其共形沉積和簡(jiǎn)單精確的膜厚控制特點(diǎn),在納米結(jié)構(gòu)的納米級(jí)薄膜包裹方面有著巨大的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用前景。大量的研究表明,采用ALD對(duì)電極材料進(jìn)行納米級(jí)薄膜包裹,能夠有效地改性電池材料、提高電池性能。除此之外,ALD還可以用來(lái)合成制備鋰離子電池的正極、負(fù)極和固態(tài)電解質(zhì)材料。

2. ALD在太陽(yáng)能電池領(lǐng)域的應(yīng)用

ALD技術(shù)在太陽(yáng)能電池領(lǐng)域的應(yīng)用主要包括:①納米結(jié)構(gòu)光電極的制備;②電極表面修飾鈍化;③通過(guò)量子點(diǎn)或是金屬納米顆粒對(duì)電極表面進(jìn)行敏化;④對(duì)染料敏化太陽(yáng)能電池和薄膜太陽(yáng)能電池進(jìn)行能帶調(diào)控。

3. ALD在超級(jí)電容器領(lǐng)域的應(yīng)用

ALD技術(shù)不僅能夠用來(lái)制備高比容量的電極活性材料,也能制備納米結(jié)構(gòu),穩(wěn)定和提升電極材料的性能,在高容量、高穩(wěn)定的超級(jí)電容器領(lǐng)域發(fā)揮出重要的作用。

4. ALD在燃料電池領(lǐng)域的應(yīng)用

ALD在燃料電池領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用:可以通過(guò)調(diào)節(jié)金屬催化劑的成分(如雙金屬納米顆粒)、金屬納米顆粒的大小來(lái)獲得適用于燃料電池的高活性催化劑;②在納米結(jié)構(gòu)上沉積金屬顆粒來(lái)制備燃料電池的陽(yáng)極;③制備高性能的固體電解質(zhì),以降低燃料電池的工作溫度;④在電極表面形成保護(hù)層提高電池的穩(wěn)定性和性能。

5. ALD在光電化學(xué)分解水領(lǐng)域的應(yīng)用

ALD技術(shù)由于其生長(zhǎng)特性,不僅可以制備光活性層,還可以在光電極上沉積性能增強(qiáng)層或穩(wěn)定層,解決了影響光電化學(xué)電池分解水領(lǐng)域的一些難題。



 

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